来源：中国证券报
作者：杨洁
9月23日午后，光刻胶概念直线拉升，截至收盘，Wind光刻胶指数上涨3.48%，飞凯材料涨7.73%、广信材料涨6.17%、容大感光涨4.22%，南大光电、晶瑞股份、雅克科技、上海新阳等多个公司也有不同程度跟涨。
光刻胶是微细图形线路加工制作的关键性材料，被誉为半导体材料“皇冠上的明珠”。
9月23日消息，国家发展改革委等四部门联合印发《关于扩大战略性新兴产业投资壮大新增长点增长极的指导意见》提出，加快在光刻胶、高纯靶材、高温合金、高性能纤维材料、高强高导耐热材料、耐腐蚀材料、大尺寸硅片、电子封装材料等领域实现突破，以保障大飞机、微电子制造、深海采矿等重点领域产业链供应链稳定。
半导体材料“皇冠上的明珠”
光刻胶市场并不大，但却对产业链有着重要意义。
根据前瞻产业研究院数据，年全球光刻胶市场规模约87亿美元，年至今，年均复合增长率约5.4%，预计未来3年仍以年均5%的速度增长，年全球光刻胶市场规模将超过亿美元。
光刻胶是微细图形线路加工制作的关键性材料，是精细化工行业技术壁垒最高的材料，在PCB、LCD和半导体领域具有重要作用。
根据中国产业信息网和开源证券研究所数据，我国光刻胶生产仍以PCB用光刻胶为主，半导体用光刻胶占比仅2%。
在半导体领域，光刻工艺是芯片制造最核心的工艺，成本约为整个芯片制造工艺的30%，耗时约占整个芯片工艺40%-50%。因此，光刻胶的质量和性能是影响芯片性能、成品率及可靠性的关键因素之一。
据介绍，在半导体光刻过程中，光刻胶被均匀涂覆在硅片上，经紫外线曝光后，光刻胶的化学性质将发生变化；然后通过显影，被曝光的光刻胶将被去除，从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上；再经过刻蚀过程，实现电路图由光刻胶转移到硅片上。
一般情况下，一个芯片在制造过程中需要进行10-50道光刻过程，由于基板、分辨率要求、蚀刻方式等不同，不同的光刻过程对光刻胶具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求，所以，光刻胶制造商的核心技术在于其满足客户差异化需求的配方技术。
由于光刻胶产品的技术要求较高，中国光刻胶市场基本由外资企业占据，高分辨率的KrF和ArF光刻胶核心技术基本被日本和美国企业所垄断，包括陶氏化学、JSR株式会社、信越化学、东京应化工业、富士电子材料，以及韩国东进等企业。据中国产业信息网数据，全球前五大光刻胶厂商占据了全球市场87%的份额。
多公司延伸布局
据开源证券，从我国光刻胶市场来看，目前主流的四种半导体光刻胶中，g线/i线光刻胶已经实现量产。KrF光刻胶正逐步通过芯片厂认证并开始小批量生产。ArF光刻胶乐观预计在年能有效突破并完成认证，最先进的EUV光刻胶正处于先期研发阶段。
中信建投表示，建议重点